近日，本实验室何湘宁教授因其卓越的学术成就荣获第十一届中国电源学会科学技术奖“科技成就奖”(中源字[2025]09号)。颁奖典礼将于2025年11月8日在深圳举行。
何湘宁教授长期研究电力电子变换拓扑与调控机理，创建单元拓扑构造和多自由度调控理论和方法，解决国内外电力电子与电能变换装备的基础科学和关键技术难题，为我国电力电子拓扑理论和控制方法的研究走在国际前列，推动电力电子技术的发展满足国家重大需求，并取得广泛国际影响力作出重要贡献。
主要成就
创建高增益单元拓扑的普适构造理论和方法，攻克国际上高增益装备高效率的基础性难题。被IEEE PELS聘为国际上首位讲授高增益变换的Distinguished Lecturer。原理和方法至今被全球71个国家/地区1128家机构引用和应用。实现机/舰载电源装备的高效率和高功率密度，取得了重大的社会和经济效益。获我国电力电子学科首个国家自然科学奖。
提出多电平单元拓扑概念、统一构造原理和多自由度调控方法，破解大功率多电平变换高性能的重大关键问题。技术应用于我国众多大型与上市企业的多电平变换装备，推动我国大功率高压变频和中高压电力推进系统进入国际一流行列。获大功率多电平技术研究与应用领域首个国家技术发明奖。
创立功率器件瞬态性能精准测试和多维表征方法，揭示复杂和极端工况下器件与拓扑的开关瞬态特性与运行规律，突破变换装备高可靠性的共性难题。合作研制的高可靠变换装备应用于环保、冶金、材料和新能源等领域，满足了国家对高端电力电子装备产业的重大需求。获中国电源学会科技进步特等奖（当年唯一）。
成果为实现安全高效的电力电子化发-输-配-用电系统奠定了坚实的理论基础和提供了有效的技术路线。当选为我国内地电力电子学科首位IEE(IET)和IEEE双Fellow。获何梁何利基金科学与技术进步奖。
奖项介绍
“中国电源学会科学技术奖”奖励在我国电源领域的科学研究、技术创新、新品开发、科技成果推广应用等方面做出突出贡献的个人和单位。“科技成就奖”（原“杰出贡献奖”）代表着电源领域的权威荣誉，自设立以来累计授予了12位院士专家等杰出人物。作为行业风向标，该奖项不仅是对个人卓越贡献的认可，更是推动整个电源技术发展和产业进步的重要力量。